Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Главе Росатом присваивают звание почетного профессора МИСИС
Продление пилотного проекта по изменению уровней образования обсудили на совещании в Минобрнауки России
Процесс осаждения сверхтвёрдых покрытий в приближении
Призёры конкурса «Наука. Территория героев» получат баллы для поступления в вуз и гранты на исследования