Адрес кафедры

119049, г. Москва, ул. Крымский Вал, д. 3, стр. 1, корпус К, каб. К-500

+7 495 237-21-29

Диденко Сергей Иванович

Заведующий кафедрой

didenko@misis.ru

Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников (ППЭиФПП) основана в 1970 г. на базе двух кафедр: кафедры физики полупроводников и кафедры полупроводниковых приборов.

В организации и становлении кафедры приняли участие видные специалисты в области полупроводниковой электроники профессора П.С. Киреев, Я.А. Федотов, Г.А. Кубецкий, С.А. Медведев, Е.А. Ладыгин. Первым заведующим кафедрой был профессор Яков Андреевич Федотов (1970-1972гг). С 1972 по 1977 год кафедрой руководил профессор Сергей Александрович Медведев.

С 1977 года по 2002 год кафедру возглавлял профессор, доктор технических наук Евгений Александрович Ладыгин. С конца 2002 года по декабрь 2015 года заведующим кафедры являлся Осипов Юрий Васильевич, а в настоящее время руководит кафедрой Диденко Сергей Иванович.

Кафедра готовит бакалавров и магистров по направлению «Электроника и наноэлектроника», а также аспирантов по направлению «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники».

Студенты кафедры специализируются в области схемотехники, конструирования, технологии и исследования приборов полупроводниковой микроэлектроники, интегральных микросхем, приборов оптоэлектроники, микропроцессоров на основе больших интегральных схем, а также в области сертификации и обеспечения качества изделий электронной техники.

Наряду с фундаментальными и общетехническими дисциплинами студенты изучают специальные учебные курсы: физику полупроводниковых и оптоэлектронных приборов, теорию и расчет активных элементов микросхем, микросхемотехника, радиационно-технологические процессы микроэлектроники, проектирование больших и сверхбольших интегральных схем, сверхвысокочастотных приборов, метрологию и сертификацию изделий электронной техники.

Преподавательский состав кафедры

4
Профессора
10
Доцентов
4
Старших преподавателя
4
Доктора наук
13
Кандидатов наук
12,1
Средний индекс Хирша преподавателей

Выпускники кафедры работают на предприятиях, занятых изготовлением полупроводниковых приборов и интегральных схем, в академических и отраслевых НИИ и КБ, в компаниях, работающих в области радиоэлектроники, современных средств связи и телекоммуникаций, космической и военной электроники.

Научная деятельность

Направления исследований сотрудников кафедры связаны с разработкой элементной базы электроники со сверхбольшой степенью интеграции, детекторов ионизирующего излучения, оптических излучателей, фотопреобразователей, а также фотоприемных устройств для информационных систем нового типа и т.д.

Основные научные направления деятельности кафедры
  • Радиационно-стойкие фотоприемники для калориметрических детекторов эксперимента LHCb, ЦЕРН;
  • Технология и анализ приборных структур на основе широкозонных соединений;
  • Источники питания на основе преобразования ядерной энергии;
  • Детекторы ядерных частиц на основе высокочистых эпитаксиальных слоев алмаза;
  • Матричные детекторы ядерных частиц на основе кремния;
  • Оптоэлектронные приборы на основе перовскитных материалов;
  • Радиационная отбраковка и исследование радиационной стойкости полупроводниковых структур.

Фотогалерея